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n-InN/p-GaN发光二极管的电致发光

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摘要

由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段,使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值,有可能为光通信器件的发展带来新的突破。在MOCVD制备的p型GaN衬底上，采用RF-MBE方法生长了未掺杂的InN单晶薄膜。并对其物理性能进行了研究。

著录项

来源
《第十八届全国半导体物理学术会议》|2011年|153|共1页
会议地点呼和浩特
作者
吴国光; 沈春生; 郭忠杰; 高福斌; 宋力君; 张硕; 李万程;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;
关键词
氮化铟材料; 分子束外延技术; 电致发光; 物理性能;

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