首页> 中文会议>2010年第九届中国国际纳米科技（西安）研讨会 >DSOI结构开口位置对SOICMOS器件高温性能的影响

DSOI结构开口位置对SOICMOS器件高温性能的影响

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在沟道下方的隐埋氧化层中开一个窗口形成DSOI结构,空穴可以通过沟道区与衬底的电耦合传递出去,同时器件内部产生的热量也可以很容易通过沟道下方的硅通道泄散出去.本文重点研究埋氧开口位置对器件性能特别是高温性能的影响,并得出了相关的结论.

著录项

来源
《2010年第九届中国国际纳米科技（西安）研讨会》|2010年|1-4|共4页
会议地点西安
作者
张新; 刘梦新;
展开▼
作者单位

中国微米纳米技术学会;

纳米科技编辑部;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
DSOI结构; 隐埋氧化层; 开口位置; SOICMOS器件; 高温性能;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. DSOI结构开口位置对SOICMOS器件高温性能的影响 [J] . 张新 ,刘梦新 . 集成电路通讯 . 2010,第004期
2. DSOI结构开口尺寸对SOICMOS器件性能的影响 [J] . 张新刘梦新 . 集成电路通讯 . 2008,第004期
3. K002铸造高温合金叶片取样位置对高温持久性能的影响 [J] . 陆琪 ,陈建伟 ,郭子静 . 理化检验-物理分册 . 2014,第010期
4. 微量元素B、Zr对镍高温合金组织结构与高温力学性能的影响 [J] . 李丽荣 ,郭彦宏 . 热加工工艺 . 2005,第4期
5. 组织结构对Ni-20Cr-10Mo-10Co高温合金高温力学性能的影响 [J] . 顾家琳 ,郭彦宏 ,贾崇林 . 稀有金属材料与工程 . 2003,第2期
6. 一种SOICOMS器件GaN-DSOI新结构 [C] . 张新 . 第十八届全国半导体物理学术会议 . 2011
7. 抗辐射SOI CMOS器件结构的研究与设计 [A] . 周永辉 . 2014

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号