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甩胶喷雾热分解法制备ITO薄膜及光电性能研究

摘要

按In:Sn(物质的量比)=9:1, InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物,采用自制甩胶喷雾热分解制备薄膜装置在普通玻璃衬底上沉积了ITO薄膜。以紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)、RTS-4 四探针测试仪、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对所得ITO薄膜的晶体结构、微观形貌和光电性能进行了分析。着重考察了衬底转速、喷雾速度、衬底温度、退火温度等对ITO薄膜光电性能的影响,优化条件下ITO薄膜结构形貌特点。结果表明,采用自制甩胶喷雾热分解制备薄膜新装置成功制备出ITO薄膜。该装置结构简单,操作方便。制备ITO薄膜优化条件为:甩胶转速800r/min、衬底温度 250℃、退火温度450℃,载气为空气,流量为7L/min,液体雾化速度0.2ml/min,雾粒速度3.5m/s。薄膜的沉积时间为5min,薄膜厚度约1000nm,最低电阻率为 0.75*10-4Ω.cm,薄膜在可见光范围(波长在400—700nm)内平均透光率为87.2%。衬底温度在200℃以上时呈现立方相结构。

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