首页> 中文会议>第十二届全国固体薄膜会议 >退火温度对Fe离子注入GaN薄膜的结构和磁性影响

退火温度对Fe离子注入GaN薄膜的结构和磁性影响

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700℃～1000℃的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD、FTIR、SEM对样品的微脱结构进行分析，发现注入Fe离子后并在800℃退火时GaN薄膜的晶格结构恢复最好。用VSM对样品磁性进行分析，发现注入Fe离子并退火后材料在室温下具有了磁性。

著录项

来源
《第十二届全国固体薄膜会议》|2010年|79-82|共4页
会议地点南宁
作者
许津津; 梅俊平; 解新建; 郝秋艳; 刘彩池;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
GaN; 离子注入; 快速热退火; 结构表征; 磁性;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 退火温度对Zn0.93Fe0.07O薄膜微结构和铁磁性能的影响 [J] . 更藏多杰 ,马书懿 ,陈万军 . 人工晶体学报 . 2016,第8期
2. 退火温度对Fe40Co40Zr7Nb2AlB9Cu合金的结构、热行为及磁性能的影响 [J] . 华中 ,刘洁 ,王丽丽 . 电子元件与材料 . 2012,第006期
3. 退火温度对方形FePt纳米颗粒磁性及微结构影响 [J] . 彭印 ,刘丽丽 ,郑永菊 . 功能材料 . 2007,第A03期
4. Mn+离子注入GaN薄膜的磁性研究 [J] . 石瑛 ,付德君 ,林玲 . 功能材料 . 2005,第010期
5. Mn^+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性 [J] . 李杰 ,张荣 ,修向前 . 半导体学报：英文版 . 2003,第12期
6. Yb离子注入掺杂GaN薄膜的结构和磁性研究 [C] . Chunhai Yin ,尹春海 ,Chao Liu . 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 . 2012
7. 钼离子掺杂和退火温度对铁氧体微观结构和磁性能的影响研究 [A] . 裴佳佳 . 2019

退火温度对Fe离子注入GaN薄膜的结构和磁性影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅