AIN/CuTi体系润湿性及界面反应

摘要

采用座滴法系统研究了AIN/CuTi体系在真空中的润湿性,结果表明,随着Ti含量的增大、温度升高和保温时间延长,体系的润湿性均得到改善。当Ti含量(质量分数)高于15%时,在1200℃体系的润湿角减小到10°以下。在AIN/Cu10Ti(Ti含量为10%)体系中,在1200℃保温20 min,Ti扩散至AIN侧并与之发生反应,在钎料和AIN之间生成了厚度约50 μm主要由TiN组成的反应层,促进了CuTi钎料和陶瓷基体的界面结合,改善了体系的润湿性。但由于残余应力过大,在AIN中靠近反应层处生成了裂纹。

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