首页> 中文会议>第十二届全国高校金相与显微分析学术年会 >退火温度对磁控溅射ZnO:Al(ZAO)薄膜性能的影响

退火温度对磁控溅射ZnO:Al(ZAO)薄膜性能的影响

摘要

采用低温直流反应磁控溅射法在80℃玻璃衬底上制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,对制备的薄膜进行不同温度的真空退火处理。采用XRD,SEM,四探针测试仪等设备对经过退火ZAO薄膜的结构,表面形貌,电阻率,透过率等性能进行表征。结果表明,经过真空退火工艺处理的ZAO薄膜,在380nm波长附近处的最高透过率为92%,最低电阻率为5.63×10-4Ω·cm。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号