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过电流状态下铜导体特征的AES研究

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利用俄歇电子能谱仪(AES)对不同时间过电流下的铜导体进行了深度刻蚀,结果表明在不同时间过电流下的铜导体样品表面都含有Cu、O、C、N、Cl等元素,且随着刻蚀时间的增加,样品中C、O原子百分比值逐渐降低,且过电流时间越长的样品,C、O原子百分比曲线下降的越平缓:以溅射时间为Os和30s时的原子百分比值之差来表示曲线的斜率,C、O原子百分比曲线的斜率都逐渐减小;在同一深度下,不同过电流时间样品所含原子的分布规律相同,即C%>O%>Cl%。

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来源
《第十二届全国高校金相与显微分析学术年会》|2009年|452-455|共4页
会议地点桂林
作者
刘术军; 邸曼; 于丽丽; 赵长征; 高伟;
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作者单位

中国体视学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
过电流; 俄歇电子能谱; 深度刻蚀; 铜导体;

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