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国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究

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对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究.结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于厚度和氧化物质量的原因而对总剂量辐照更加敏感;辐照引入界面态陷阱电荷的散射作用降低了正栅源漏饱和电流;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍距初始值有一定负向距离.

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来源
《中国核学会2009年学术年会》|2009年|3595-3599|共5页
会议地点北京
作者
崔江维; 余学峰; 刘刚; 李茂顺; 高博; 兰博; 赵云; 费武雄; 陈睿;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类辐射探测技术和仪器仪表;
关键词
60Coγ射线; 总剂量辐照; 退火效应; 界面态陷阱电荷; 亚阈曲线;

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