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一种低功耗快速瞬态响应的全片内LDO稳压器

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提出了一种低功耗，快速瞬态响应的全片内低压差线性稳压器(LDO)，通过采用新颖的自适应摆率增强偏置结构，其瞬态响应得到了极人改善。与常见的摆率增强结构相比，此结构不受器件阈值与电源电压范围限制，不产生静态功耗或影响正常的环路响应。该LDO采用CSM 0.13um CMOS工艺实现，片上电容为300pF，核心电路静态功耗小于5uA，自适应摆率增强偏置部分仅占整个版图面积的4％。HSPICE仿真结果表明，采用该结构LDO在100ns内全输出范围(0~2mA)电流改变引起的最大欠冲电压小于200mV，而未采用该结构最大欠冲电压大于700mV。

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来源
《2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会》|2009年|180-184|共5页
会议地点成都
作者
陈悦; 陈君; 罗萍;
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作者单位

中国电子学会;

四川省电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类稳定器;
关键词
低压差线性稳压器; 快速瞬态响应; 环路响应; 自适应摆率;

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