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局部双轴应变SiGe材料的生长与表征

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本文研究了一种基于MBE的局部双轴应变SiGe外延生长技术。图形窗口边界采用了多晶Si侧墙，窗口内多层SiGe薄膜分段温度生长。通过扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）X射线双晶衍射（XRD）、透射电镜（TEM）与位错密度测试，表明双轴应变SiGe薄膜厚度、Ge组分得到精确控制，垂直应变度达到1.175%，其表面粗糙度为0.45nm，位错密度为1.2×103cm-2，由于图形窗口边界采用多晶Si侧墙，窗口边缘处未出现位错堆积。实验证实，采用该技术生长的局部双轴应变SiGe薄膜质量良好，基本满足SiGe BiCMOS器件制备要求。

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来源
《第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2009年|1-4|共4页
会议地点杭州
作者
李竞春; 杨阳; 全冯溪; 杨洪东;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.054.4;
关键词
双轴应变; 局部图形; 应变度; 外延生长; 表面粗糙度; 位错密度;

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