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硅中位错运动及其与晶界相互作用的研究

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本文利用特殊的单个晶界的键合样品，结合显微压痕和热处理的方法研究了硅中晶界与位错的相互作用。用显微压痕的方法在硅中晶界附近引入压痕，控制压痕方向使压痕的对角线平行于滑移方向，热处理过程中残余应力释放，驱动位错沿着滑移方向滑移。本文通过研究表明，晶界对位错的滑移具有阻止作用，在晶界附近的同一个压痕中，位于晶界附近的位错的滑移距离远远小于背离晶界的位错的滑移距离。随着压力的增加与热处理温度的升高，位错的滑移距离逐渐增大；氧沉淀对位错的滑移也具有一定的阻碍作用。

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来源
《第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2009年|1-3|共3页
会议地点杭州
作者
李中兰; 余学功; 汪雷; 杨德仁;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
硅中位错运动; 残余应力; 滑移距离; 热处理温度;

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