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黄 玥; 苟鸿雁; 丁士进;
中国电子学会;
纳米晶; 非挥发存储器; 能带工程; 库仑阻塞效应; 隧穿层; 可变氧化层厚度; 金属氧化物半导体;
机译:基于Al_2O_3隧穿和HfO_2阻挡层的非易失性存储电容器,在原子层沉积的Pt纳米晶体中具有电荷存储
机译:夹在较厚的SiO2层之间的超薄HfO2层增强了堆叠栅极电介质中的隧穿
机译:基于具有HfO_2隧穿和阻挡层的Au纳米晶体的非易失性存储电容器
机译:使用转移矩阵法通过HFO2 / SiO2纳米厚层模拟通过HFO2 / SiO2纳米厚层的MOS电容器的电荷捕获电荷
机译:金属化 , 掺杂 的制备 和混合 基于 纳米晶 锐钛型 二氧化钛 纳米晶 : 从 内到外 纳米晶 装饰
机译:原子层沉积HfO2薄膜的厚度定标及其在晶圆级石墨烯隧穿晶体管中的应用
机译:用于紫外线应用的LaF3 / HfO2 / siO2和LaF3 / HfO2 / mgF2三层结构和抗反射性能的研究
机译:激光调节和激光损伤的HfO2 / siO2介电镜涂层的原位原子力显微镜。
机译:电容器的介电结构具有氧化dielectric层和基于介电常数等于或大于HfO2层的材料的介电层,并且具有介电纳米复合结构
机译:形成超微晶层的工艺,具有通过超微晶层形成工艺形成的超微晶层的机械部件,制造机械部件的工艺,形成纳米晶层的工艺,具有通过纳米晶层形成工艺形成的纳米晶层的机械部件以及工艺机械零件的制造
机译:形成超微晶层的工艺,具有通过超微晶层形成工艺形成的超微晶层的机械部件,制造机械部件的工艺,形成纳米晶层的工艺,具有通过纳米晶层形成工艺形成的纳米晶层的机械部件以及工艺机器零件的制造
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