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关于Si1-x-yGexCy工艺和材料特性的一些研究

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Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后的又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，工艺和制程又可与Si工艺兼容，采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor, HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上可以超越GaAs HBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一项材料。本文对Si1-x-yGexCy的生长工艺和材料特性进行了一些研究: 研究了利用减压外延的方法制备该薄膜的工艺参数之间的关系; 观察分析了该薄膜的特性对基片材料的依赖性; 并就该薄膜对硼扩散的抑制作用和该工艺对有源区与浅槽交界处的刻面的影响进行了研究和探讨。

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来源
《第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2009年|1-11|共11页
会议地点杭州
作者
季伟; 缪燕; 谢烜; 肖胜安;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8;
关键词
异质结双极晶体管; 半导体材料; 异质结; 减压外延;

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