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低介电损耗AlN陶瓷及BN-AlN基陶瓷材料研究

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首先利用化学工艺制备出烧结助剂Y2O3均匀混合的AlN粉体及BN均匀包覆AlN的复合粉体.利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN-AlN基复相陶瓷.通过对陶瓷显微结构、热性能及微波介电性能的研究发现,通过化学工艺,将BN包覆到AlN粉体表面,制备出显微结构均匀的AlN-20%BN(质量比)复相陶,其热导率为78.1 W/m·K,在Ka波段介电常数为7.2、介电损耗最小值为13×10-4；通过材料化学工艺,将烧结助剂Y2O3均匀添加到AlN基体中,制备出热导率为154.2W/m·K,在Ka波段介电常数为8.5、介电损耗最小值为9.3×10-4的AlN陶瓷材料。

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来源
《电子陶瓷、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳应用研讨会》|2009年|50-5368|共5页
会议地点宝鸡
作者
徐伟; 华锡昌;
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作者单位

中国电子科技集团公司;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TQ174.758.22:TQ174.13;
关键词
AlN粉体; BN-AlN基陶瓷; 低介电损耗; 化学工艺; 无压烧结;

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