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CrPt/FePt双层膜的交换耦合

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采用磁控溅射方法制备了上钉扎CrPt/FePt和下钉扎FePt/CrPt双层膜(Ta作为缓冲层和保护层),样品在真空度优于5×10-4Pa的真空炉里进行350℃,5h的退火,退火时沿样品的易轴方向加约63.68kA/m的静磁场。实验发现,退火后CrPt/FePt体系的钉扎场比FePt/CrPt体系的钉扎场大。从织构和晶粒尺寸两方面对其中的原因进行了分析。结果表明,CrPt/FePt体系具有较弱的择优取向度和较小的晶粒尺寸是引起体系具有较大交换偏置场的原因。

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来源
《2009全国功能材料科技与产业高层论坛》|2009年|149-151|共3页
会议地点江苏镇江
作者
王晓宇; 王海; 郑鹉; 贺淑莉; 姜宏伟;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;磁性材料、铁磁材料;
关键词
CrPt/FePt双层膜; 磁控溅射; 交换偏置; 织构; 晶粒尺寸; 静磁场;

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