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Eu2/3Cu3Ti4O12与Tb2/3Cu3Ti4O12介电特性的研究

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随着世界电子信息产业的迅速发展,新型电子元器件的发展方向呈现多元化,而电子元器件的小型化、片式化一直是主要方向发展之一。不论是手机,计算机,还是其他的电子产品,集成电路都是其中重要的组成部分。而作为集成电路板上的重要元件——电容器,它在电路中起到了储能、抗干扰、旁路、耦合等重要的作用,器件的小型化使得大容量成为电容器的发展方向之一。大容量就要求电介质具有高的介电常数。近年来,介电材料CaCu3Ti4O12(CCTO)因其具有非常高的介电常数(～104)以及在室温范围内较好的温度稳定性而得到了大家的普遍关注。然而它的介电损耗却比较大,在室温1kHz的测试条件下约为0.1,不利于实际的应用。此外,它的介电响应具有着较大的频率和电压依赖性,这对于要求对于频率和电压波动稳定的电路中是不允许的。本文制备了Eu2/3Cu3Ti4O12(ECTO)和Tb2/3Cu3Ti4O12(TCTO)两种材料以作研究。

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来源
《第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心（ICDD）研讨会》|2009年|134|共1页
会议地点上海
作者
李苗; 张道范; 王皖燕; 陈小龙;
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作者单位

中国物理学会;

中国晶体学会;

中国硅酸盐学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类介电物理;
关键词
介电特性; 介电材料; 介电响应; 电压波动;

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