首页> 中文会议>第十七届全国半导体物理学术会议 >高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究

高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Gab/中与缺陷相关的黄带(YL)一般归因于从浅施主或导带到深受主的跃迁。然而，贡献于YL的深受主来源仍然处于争论之中。大量的研究表明在非故意掺杂和n型GaN中，镓空位(VGa)相关的缺陷，如VGa-ON被认为是主要的来源。相对于非故意掺杂常规和n型GaN而言，高阻GaN中YL相关的研究还非常少。本文采用光致发光谱(PL)和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。

著录项

来源
《第十七届全国半导体物理学术会议》|2009年|181|共1页
会议地点长春
作者
许福军; 沈波; 苗振林; 宋杰; 杨志坚; 张国义;
展开▼
作者单位

中国物理学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
发光性质; 正电子湮灭谱; 光致发光谱;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 非故意掺杂GaN层厚度对蓝光LED波长均匀性的影响 [J] . 李天保 ,许并社 ,赵广洲 . 发光学报 . 2017,第009期
2. 三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响 [J] . 李小杜 ,尚林 ,朱亚丹 . 人工晶体学报 . 2016,第5期
3. MOCVD生长非故意掺杂GaN/Si薄膜的电阻率控制研究 [J] . 王勇 ,于乃森 ,黎明 . 科技创新导报 . 2011,第031期
4. 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象 [J] . 苏志国 ,许金通 ,陈俊 . 半导体学报：英文版 . 2007,第6期
5. 非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究 [J] . 杜江锋 ,赵波 ,罗谦 . 电子元件与材料 . 2004,第012期
6. 高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究 [C] . 许福军 ,沈波 ,苗振林 . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. 掺杂GaN和GaN/ZnO界面光电性质的第一性原理研究 [A] . 梁剑锋 . 2016

高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅