首页> 中文会议>第六届航天器抗辐射加固技术学术交流会 >SOI大规模集成电路抗辐照性能研究

SOI大规模集成电路抗辐照性能研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

提出了初步的大规模SOI集成电路总剂量、单粒子辐照实验方法。研究了SOI CMOS MCS-51系列8位单片机、8k × 8 SOI SRAM在60Coγ辐照环境中的响应特性。通过对动态和静态两种偏置条件下电路的电离辐照敏感参数的分析，给出了大规模SOI集成电路：静态随机存储器(SRAM)微控制器(MCU)的”Co γ总剂量效应实验的结果。重点研究了微控制器(MCU)的单粒子实验流程，为大规模SOI集成电路的可靠性研究奠定了基础。

著录项

来源
《第六届航天器抗辐射加固技术学术交流会》|2009年|243-250|共8页
会议地点桂林
作者
刘刚; 韩郑生; 赵发展; 李多力;
展开▼
作者单位

中国空间技术研究院;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类大规模集成电路、超大规模集成电路;
关键词
半导体器件; 大规模集成电路; 总剂量实验; 单粒子实验; 抗辐照性能;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 0.18 μm SOI工艺抗辐照触发器性能研究 [J] . 周昕杰 ,于宗光 ,田海燕 . 固体电子学研究与进展 . 2014,第5期
2. 注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响 [J] . 武爱民 ,陈静 ,张恩霞 . 功能材料 . 2007,第A02期
3. 注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响 [J] . 张恩霞 ,钱聪 ,张正选 . 半导体学报：英文版 . 2005,第6期
4. 基于高温抗辐照SOI CMOS工艺的器件特性研究 [J] . 张庆东 ,吴建伟 ,李金航 . 原子能科学技术 . 2021,第012期
5. 抗辐照合金的发展与纳米结构ODS钢的抗辐照性能 [J] . 吕铮 ,刘春明 . 材料与冶金学报 . 2012,第001期
6. 注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响 [C] . 武爱民 ,陈静 ,张恩霞 . 第六届中国功能材料及其应用学术会议 . 2007
7. 基于SOI的抗辐照结构研究 [A] . 刘洋 . 2017

SOI大规模集成电路抗辐照性能研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅