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PD SOI单端体接触源漏非对称H栅结构研究

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针对PD SOI工艺，实现了单端体接触源漏非对称H栅结构，实验结果表明其能够很好的抑制浮体效应，具有较强的抗总剂量辐照能力。由于寄生体电阻的影响，要求设计的晶体管的宽长比小于一定值，如对PMOS管来说，一般要求其宽长比小于10左右，对于大PMOS管，采用折叠结构。由于采取单端体接触，提高单位面积上的器件集成度，大大降低电路连线的复杂度，增加电路设计的灵活性。

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来源
《第六届航天器抗辐射加固技术学术交流会》|2009年|280-285|共6页
会议地点桂林
作者
王忠芳; 唐威; 刘存生; 吴龙胜; 刘佑宝;
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作者单位

中国空间技术研究院;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
PD SOI工艺; 单端体接触; 源漏非对称; H栅结构; 浮体效应;

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