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B位四价Sn4+、Zr4+离子取代对Ba(Zn1/3Nb2/3)O3系统介电性能的影响

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本文采用传统的固相陶瓷烧结工艺,利用四价正离子Sn4+、Zr4+取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷的B位Zn2+、Nb5+离子,研究了其对Ba(Zn1/3 Nb2/3)O3系统介电性能的影响。随BaSnO3含量的增加,介电常数降低,温度系数正向偏移，在32%≥x≥5%(摩尔分数,以下同)时,气孔率减少,体积密度pv增大,介质损耗降低，BaSnO3含量为32%时,系统具有最好的介电性能。在BZN-BZ系统中,BaZrO3增加,系统的εr降低,损耗增大,容量温度系数负向偏移。在BZN-SZN-BZ系统中,BZ的加入使εr增大、τc负向发展、介质损耗降低，BZ的添加可以促进烧结、抑制第二相和有序相的形成。

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来源
《二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛》|2008年|247-250|共4页
会议地点天津
作者

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作者单位

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体陶瓷材料;基础理论;
关键词
介电陶瓷; 元素掺杂; 陶瓷序相; 介质损耗;

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