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Cu2O颗粒修饰ZnO薄膜的电沉积制备及性能表征

摘要

利用两步电沉积技术在ITO基底上制备Cu2O颗粒修饰ZnO纳米棒薄膜,沉积时间分别为0,1,5和10 min.SEM和XRD测试表明样品中由ZnO纳米棒和Cu2O组成.立方结构的Cu2O颗粒镶嵌在ZnO纳米棒空隙中,Cu2O颗粒的数量随沉积时间的延长明显增加,Cu2O特征峰的强度随Cu2O沉积时间延长而增加.紫外可见吸收光谱分析显示ZnO纳米棒对应的带隙从3.22 eV变化到2.75 eV.Cu2O沉积10 min得到的样品降解甲基橙能力最强,经可见光光照100 min后甲基橙浓度降低到原来的15%.

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