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多晶硅太阳电池的酸腐绒面技术

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目前,太阳能光伏市场中多晶硅(mc-Si)太阳电池所占据的份额是最大的。已经出现的mc-Si绒面技术主要有机械刻槽,等离子蚀刻以及激光刻槽和各向同性的酸腐蚀。机械刻槽的绒面方法要求硅片厚度在200μm以上,因为刻槽的深度一般在50μm的量级上所以它对硅片的厚度要求很高,这样的技术会增加材料成本。等离子蚀刻制备出绒面的陷光效果是非常好的,但是,它需要相对复杂的处理工序和昂贵的加工系统。在绒面的制作过程中,可能会引入机械应力和损伤,在后处理中形成缺陷.酸腐蚀绒面技术可以比较容易地整合到当前的太阳电池处理工序中,它应用起来基本上是成本最低的,最有可能广泛应用的mc-Si太阳电池绒面技术。

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来源
《第十届中国太阳能光伏会议》|2008年|55-57|共3页
会议地点常州
作者

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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.41;
关键词
多孔硅膜; 蚀刻深度; 硅太阳能电池; 酸腐绒面;

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