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马俊; 谢刚; 李泽宏;
四川省电子学会;
中国电子学会;
机译:具有浅源极结和轻掺杂漏极的双垫片I-MOS晶体管,可降低工作电压并增强器件性能
机译:利用浅沟槽和场限制环的功率器件改进的结终端设计
机译:带有部分轻掺杂柱的高压超结横向双扩散金属氧化物半导体
机译:使用轻掺杂沟道无结累积模式FinFET增强了器件性能
机译:光学方法定量分析高纯度砷化镓,重掺杂砷化镓和铝砷化镓/砷化镓异质结器件
机译:氮掺杂对TiO2基固态染料敏化太阳能电池器件操作的影响:从材料到器件的光物理
机译:使用深沟槽的超结功率器件的改进的结终端设计
机译:使用与工具兼容的纳秒热掺杂技术制造用于0.18(μm)mOs器件应用的亚40nm p-n结
机译:具有轻掺杂缓冲区的电结器件,可精确定位p-n结
机译:具有轻掺杂缓冲区的电结器件,可精确定位P-N结
机译:形成用于控制高压电子器件的掺杂轮廓和横向宽度的光敏掺杂剂掩模的结终止延伸部的制造方法
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