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Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学性能的影响

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本文研究并分析了Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学非线性特性的影响.研究发现适量的Nd3+对Sn4+的取代能明显提高压敏电阻的压敏电场和非线性系数.掺杂0.50 mol%Nd2O3的陶瓷样品具有最高的非线性系数(α=35)和高的压敏电场(Ea=865V/mm).晶粒尺寸随着Nd3+掺杂量的增加而减小,同时压敏电场的升高归因于品粒尺寸的减小,替代Sn的受主Nd3+离子应处于间界上.

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来源
《中国电子学会第十五届电子元件学术年会》|2008年|98-102|共5页
会议地点北京
作者

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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类电阻器、电位器;
关键词
压敏材料; 压敏电阻; 电学性能; Nd2O3掺杂;

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