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中国电子学会;
无铅压电陶瓷; 相结构; 介电特性; 压电特性;
机译:(0.977-x)(K0.5Na0.5)NbO3-0.023Bi(0.5)(Na0.9K0.1)(0.5)TiO3-xSrZrO(3)无铅压电陶瓷的相结构和压电性能
机译:无铅A位和B位共掺杂Bi-0.5(Na0.84K0.16)(0.5)TiO3-SrTiO3初始压电陶瓷的结构-性质关系(第5卷,第96953页,2015年)
机译:无铅A位和B位共掺杂Bi-0.5(Na0.84K0.16)(0.5)TiO3-SrTiO3初始压电陶瓷的结构性质关系
机译:复杂钙钛矿(Sr_(1-x)Ba_x)(Sr_(0.33 + y)Ta_(0.67-y))O_(3- delta)的A位和B位阳离子比率对有序结构和介电性能的影响
机译:A位取代的(Sr1-x-yCaxNdy)TiO3钙钛矿的结构和热电性能。
机译:无铅(Ka0.5Na0.5)NbO3和BiFeO3基压电陶瓷的铁电畴结构和局部压电性能
机译:(1-x)K0.48NA0.52nBO3-Xbi0.45ND0.05(Na0.92Li0.08)的相结构和压电性能0.05(Na0.92Li0.08)0.5×103无铅压电陶瓷
机译:WsR-88D的范围和速度模糊度缓解:sZ-2相位编码算法的性能。
机译:生产具有组成的钙钛矿相的无铅压电陶瓷材料,包括用该相的钙钛矿起始材料对混合物进行热处理,以及用该压电陶瓷材料生产压电陶瓷组分。
机译:无铅两相压电陶瓷材料,使用该材料生产压电陶瓷组件的方法和结构组件的用途
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
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