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AMLCD中的有机二极管研究

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本文主要介绍了利用真空蒸镀法制作可应用于Lechner有源矩阵的有机二极管——A1/A10x/C60/Cu结构的C60肖特基二极管的方法并分析了其电学性能.研究发现,A10x的存在与否对上述肖特基结构能否形成整流接触起到关键作用,基于此,提高氧化温度到60℃,空气中氧化24h,制得了高性能的二极管——A1/A10x/C60/Cu肖特基二极管在偏压为±2V时的整流比大于1000.从测试数据根据相关模型计算得到,二极管的势垒高度为0.83ev,理想因子为1.9.基于实验所用的C60纯度只大于95%,该二极管的整流效果还是很理想的.

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来源
《2008中国平板显示学术会议》|2008年|107-109|共3页
会议地点上海
作者

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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体二极管;
关键词
肖特基二极管; 势垒; 制作工艺; 氧化修饰工艺;

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