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中国电子学会;
广州市科协;
p型掺杂; 原子源辅助; 超品格缓冲层; 氧化锌薄膜; 分子束外延;
机译:分子束外延固源磷掺杂的p型ZnO薄膜
机译:等离子体辅助分子束外延生长p型ZnO薄膜中氮受体的活化能
机译:等离子体辅助分子束外延生长非极性m平面ZnO和Na掺杂p型ZnO薄膜的研究
机译:原子层外延制备氮掺杂p型ZnO薄膜的生长
机译:用铍辅助分子束外延生长氮化镓与氮化镓和镁的p型掺杂问题
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:固体源原子层分子束外延生长SnTe掺杂InP的表征
机译:激光辅助分子束外延法制备碘化铜薄膜的表征
机译:掺杂方法例如p型半导体衬底在制造晶体硅太阳能电池时涉及使用掺杂的硅作为源,其中掺杂的硅具有指定范围的一部分硅原子,氢原子
机译:具有P型IIB-VIA的分子束外延电磁辐射传感器中B-VIA半导体的掺杂
机译:具有p型ZnSe层的分子束外延电磁辐射换能器中IIB-VIA半导体的掺杂
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