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热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能

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首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体，与SiC粉体均匀混合后，采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为，采用XRD、SEM等手段对样品进行表征，研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能，并对其介电机理进行了探讨。结果发现，在950℃和30Mpa的热压条件下制备出的SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数εr≈3×108(1kHz)，分析认为其介电机理属于阻挡层机制，载流子在SiC与CCTO界面处聚积，形成空间电荷极化。

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来源
《第十五届全国高技术陶瓷学术年会》|2008年|308-311|共4页
会议地点沈阳
作者
王海龙; 乔建房; 陈德良; 关莉; 李明亮; 张锐;
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作者单位

中国硅酸盐学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM534.1;
关键词
陶瓷电容器; 热压烧结工艺; 性能表征; 介电机理;

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