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Zn(O,S)缓冲层的light-soaking效应研究

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本文尝试以以溅射工艺制备Zn(O,S)缓冲层代替传统工艺的CdS层和i-Zn0层，不仅工艺步骤得到简化，并且使整体工艺均在真空环境下进行，以此避免工业化生产中由于CIGS脱离真空环境可能受到的污染，从而提高产品的良率。rn 非CdS的缓冲层普遍会有light-soaking现象，在干法制备缓冲层上尤其如此。本文在优化Zn(O,S)缓冲层的过程中，研究了不同溅射环境、S比例等因素下的缓冲层对light-soaking现象的影响。此外，对于CIGS/i-Zn0/Al-ZnO,CIGS/CdS/i-Zn0/Al-ZnO,GIGS/Zn(O,S)/Al-Zn0等不同电池结构的light-soaking现象也进行了对比研究。本研究对于真空干法制备CIGS太阳电池缓冲层提供了重要参考。

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来源
《第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会》|2014年|67|共1页
会议地点北京
作者
李晓东; 刘玮; 秦晓彤; 李祖亮; 程龙; 张毅; 周志强; 何青; 孙云;
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作者单位

中国可再生能源学会;

中国光伏行业协会;

国家可再生能源中心;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.42:TM910.5;
关键词
铜铟镓硒太阳电池; 缓冲层; 溅射工艺; light-soaking效应;

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