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Cd掺杂Zn4Sb3的热电性能的理论计算

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本文运用基于密度泛函和赝势理论计算了Cd掺杂Zn4Sb3的能带和态密度,从计算得到的能带结构中求出价带顶和导带底的有效质量,由电子结构相应的计算方法估算了Cd掺杂Zn4Sb3的电导率、热导率、Seebeck系数和材料的热电品质因子.结果表明Cd掺杂Zn4Sb3的品质因子在625 K附近达到最大值0.0039 K-1,该方法对于半导体热电性能的预测具有重要意义.

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来源
《2008年全国冶金物理化学学术会议》|2008年|330-334|共5页
会议地点贵阳
作者

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作者单位

中国有色金属学会;

中国稀土学会;

中国金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TG132.24;
关键词
热电性能; Cd掺杂Zn4Sb3; 电子结构; 量子化学; 计算方法; 半导体材料;

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