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料浆涂敷技术制备CuInSe2薄膜

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用机械球磨方法研磨Cu-In合金和Se粉制备前驱体料浆,并将前驱体料浆涂敷在Mo箔上形成前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理成功制备CuInSe2薄膜.利用激光粒度分析仪、热重/差热联用仪(TG-DTA)和X-射线衍射仪(XRD)分析前驱体料浆,并且利用XRD、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征.结果表明:CuInSe2物相在180℃就已形成,并且随着温度升高晶体的结晶度逐步提高；在各个温度下制备的CuInSe2薄膜均是以(112)晶面择优取向；在硒化前对前驱体薄膜进行压制使其致密是制备优良CuInSe2薄膜的关键因素之一。

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来源
《2007全国粉末冶金学术及应用技术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会》|2007年|363-369|共7页
会议地点北京
作者
聂洪波; 王延来; 果世驹; 倪沛然; 杨永刚; 尚斌;
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作者单位

中国金属学会;

中国有色金属学会;

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
CuInSe2薄膜; 硒化; 铜铟合金; 料浆涂敷;

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