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基于SiGe5AM工艺的A-MOS变容管的应用

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本文介绍了基于SiGe5AM工艺的A-MOS变容管的结构、基本工作原理及其仿真模型,并在CADENCE ADE用SpectreRF仿真软件对其特性和其在VCO的典型应用电路进行了仿真。结果表明,这种变容管可提供的电容动态范围较大,具有较好的单调线性度,可工作的频率范围大,为压控振荡器的变容设计提供了很好的选择。

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来源
《中国第二十届电路与系统学术年会暨2007年港澳内地电子信息学术研讨会》|2007年|482-485|共4页
会议地点深圳
作者
高锋淋; 黄世震; 林伟; 陈学清;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
变容管; 积累型MOS; SiGe5AM; 压控振荡器;

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