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1.3μm光抽运垂直外腔面发射激光器的理论研究

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利用周期谐振增益结构设计了以AlGaAs/GaInNAs/GaAs为有源区的1.3μm二极管泵浦垂直外腔面发射半导体激光器。根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参数。优化了激光器特征参数并设计了OPS-VECSEL结构。理论计算表明,LD泵浦的垂直外腔面发射激光器的输出功率将大于1瓦。

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来源
《全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议》|2007年|247-253|共7页
会议地点南京
作者
刘云; 单肖楠; 秦莉; 王立军;
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作者单位

中国电子学会;

中国通信学会;

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中图分类
关键词
垂直外腔面发射激光器; LD泵浦; 纵模限制因子;

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