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计算机硬盘基片CMP镍磷材料的去除机理

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在计算机硬盘生产中,在保证表面质量的条件下,提高化学机械抛光(CMP)的去除量非常关键,因此,研究生产可使用工艺参数范围内适用的CMP去除机理相当重要。本文利用摩擦模拟实验机,分别对速度、正压力以及抛光液PH值对盘基片抛光去除量的影响进行了实验研究,结果表明,可用结合控制步骤理论的Preston方程描述硬盘盘基片抛光生产中的去除量。

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来源
《第八届全国摩擦学大会》|2007年|465-468|共4页
会议地点广州
作者
胡波; 李维民; 黄雅婷; 赵艳;
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作者单位

中国机械工程学会;

华南理工大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类抛光;
关键词
硬盘盘基片; 化学机械抛光; 镍磷材料; 表面质量;

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