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反向偏置下碲镉汞环孔PN结耗尽区电容的计算

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摘要

采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞(HgCdTe)环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与有关理论分析的结论是吻合的.

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来源
《2006光学、激光、红外技术学术交流会》|2006年|1139-1141|共3页
会议地点北京
作者
王忆锋; 庄继胜;
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作者单位

中国光学学会;

中国宇航学会;

中国电子学会;

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
PN结; 环孔PN结; 电容; 碲镉汞;

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