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In掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究

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采用了基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,计算了不同In掺杂浓度下GaN体系的电子结构和光学性质,分析了In掺杂对GaN材料能带结构、电子结构、态密度和光学性质的影响.计算结果表明:In掺杂GaN在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子,明显提高了体系的电导率,导电性能明显改善.同时,光学性质的计算表明光学带隙宽度随着掺杂浓度的增加而减小,吸收带边红移,并且在2.0eV附近出现了明显吸收峰,同时,在可见光区有较强的吸收,其对应的吸收光谱的波长从紫外部分一直延伸到红外部分,几乎覆盖了整个太阳光谱.因此,研究表明In掺杂GaN可以作为太阳能电池以及透明导电薄膜的候选材料.

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来源
《第十三届中国国际纳米科技（成都）研讨会》|2014年|1-6|共6页
会议地点成都
作者
Ruan Xingxiang; 阮兴祥; 张富春; Zhang Fuchun; 张威虎; Zhang Weihu;
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作者单位

中国纳米科技学会;

成都人民政府;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类非金属材料;
关键词
氮化镓材料; 铟元素; 掺杂改性; 电子结构; 光学性质; 第一性原理;

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