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磁控溅射与硫化热处理制备β-In2S3薄膜

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采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β-In2S3薄膜.应用XRD、拉曼光谱仪及UV-Vis测试对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能.结果表明,溅射功率对薄膜的结晶性能影响较大,比较合适的溅射功率为100W和140W;此外,硫化热处理温度对薄膜的品质影响也很大,比较合适的热处理温度范围为450℃,过高的热处理温度容易在薄膜中形成缺陷,在薄膜生长过程中容易产生In5S4杂相,相比之下,溅射气体压强对薄膜品质的影响小一些,溅射气体压强可选择在04-0.6Pa.光学与电学性能测试结果指出,得到的β-In2S3薄膜品质较好,光谱透过率高,属n型半导体,可用于太阳能电池缓冲层.

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来源
《第十三届中国国际纳米科技（成都）研讨会》|2014年|1-16|共16页
会议地点成都
作者
Rongfeng Guan; 关荣锋; Xiaoxue Wang; 王晓雪;
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作者单位

中国纳米科技学会;

成都人民政府;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类太阳能电池;非金属导电材料、炭素材料;
关键词
太阳能电池; 缺陷尖晶石结构薄膜; 磁控溅射法; 硫化热处理技术; 光学性能; 电学性能;

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