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具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AIGaInP LED

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采用ITO/Ti305薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层,窗口层,电流阻挡层和增透膜层.通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度.通过ITO/Ti305增透膜设计提升LED的光提取效率.具有该ITO/Ti305薄膜结构的主波长621nm的高亮度A1GaInP LED芯片(150×150um2)较传统结构芯片发光强度提升40％,20mA注入电流下,电压均值在2.1V左右.

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来源
《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》|2014年|40-4269|共4页
会议地点安徽马鞍山
作者
Bai Jifeng; 白继锋; Yang Kai; 杨凯; Li Juncheng; 李俊承; Xu Jielin; 许杰林; Ma Xiangzhu; 马祥柱; Zhang Yong; 张永; Wang Xiangwu; 王向武;
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作者单位

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;
关键词
红光发光二极管芯片; 薄膜结构; 高亮度; 性能测试;

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