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Si/SiC纳米复合薄膜退火工艺的控制

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讨论了Si/SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制.半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性能,直接受到退火工艺的影响和制约,退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素,可能使得薄膜变成并不是所期望得到的结果.该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火,提高了退火可信度,使纳米复合薄膜的结果更可靠。

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来源
《2006年高等学校实验室工作研究会第九届学术研讨会》|2006年|30-32|共3页
会议地点北京
作者
贾士利; 孙景; 李家俊; 杜希文; 赵乃勤; 师春生;
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作者单位

高等学校实验室工作研究会;

实验室研究与管理杂志社;

实验技术与管理杂志社;

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正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
半导体纳米复合薄膜; 射频溅射; 退火工艺; 光致发光性能;

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