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在多孔硅上外延硅膜的研究

摘要

固相晶化(SPC)技术制备太阳电池是值得研究的方向.我们用电化学电解的方法在硅片上制备了多孔硅,在多孔硅上用PECVD设备沉积了非晶硅薄膜,对非晶硅薄膜在550℃进行了固相晶化.用拉曼光谱仪、XRD和扫描电镜等手段对硅薄膜进行了测试研究.研究表明,在多孔硅上的固相晶化比石英衬底上的要快,结晶膜中和多孔硅相同的(100)晶向占优,表明多孔硅是很好的作固相晶化籽晶层的材料.多孔硅还是很好的实现层转移的材料,我们已经利用多孔硅实现了数cm2薄膜的完整剥离.

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