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热处理对多晶硅上沉积氮化硅薄膜的影响

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用等离子体化学气相沉积(PECVD)法通过改变硅烷与氨气的流量比沉积氮化硅薄膜,用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.实验发现,在沉积温度350℃,沉积时间5min,[SiH4:N2]/[NH3]=4∶1时,沉积氮化硅后硅片高寿命、氢含量高钝化效果好、反射率低.在退火时间5min、退火温度400℃时少子寿命提高,然后随着退火时间、温度的增加,多晶硅片少子寿命逐渐降低.在FG气氛下退火要比N2气氛的少子寿命高.在多晶硅片上沉积氮化硅后,太阳电池的短路电流,开路电压,效率有很大提高.

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来源
《第九届中国太阳能光伏会议》|2006年|38-41|共4页
会议地点成都
作者
勾宪芳; 马丽芬; 任丙彦; 冯志军; 李士杰; 赵士峰;
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作者单位

中国可再生能源学会;

四川大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.41;TN304.055;
关键词
多晶硅; 太阳电池; 等离子体化学气相沉积; 氮化硅; 少子寿命;

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