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多注阴极侧面抑制发射和蒸散技术的试验研究及应用

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摘要

采用覆膜浸渍钡钨阴极完成多注阴极组件的制备,分别采取不同的技术方法进行阴极多孔基体的侧面封闭孔隙的工艺试验。研究分析结果表明利用通电机械碾压的方法相对更为适应于工程化的应用,可以获得良好的侧面封孔效果,从而达到阴极侧面抑制电子发射及降低钡蒸散的目的,研制得到的阴极组件在多注速调管中的应用性能良好。

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来源
《中国科学院电子学研究所2006年青年学术交流会》|2006年|401-403|共3页
会议地点北京
作者
徐强; 俞世吉; 朱虹; 丁耀根;
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作者单位

中国科学院电子学研究所;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类阴极电子学;基础理论;
关键词
覆膜浸渍钡钨; 多注阴极组件; 钨海绵基体; 侧面封孔; 机械碾压; 多注速调管;

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