带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究

摘要

本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进展进行了简单评述.

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