首页> 中文会议>第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 >垂直电极结构GaN基发光二极管的研制

垂直电极结构GaN基发光二极管的研制

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用激光剥离技术(LLO)和晶片键和技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的和合金化键和过程解决了GaN材料与Si衬底的结合,结合逐个芯片剥离和键和的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.

著录项

来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|318-321|共4页
会议地点广西北海
作者
康香宁; 包魁; 陈志忠; 徐科; 章蓓; 于彤军; 聂瑞娟; 张国义;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;TN304.23;
关键词
氮化镓; 发光二极管; 激光剥离; 金属合金键和; 垂直电极; GaN量子阱; 光学性质;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 垂直电极结构GaN基发光二极管的研制 [J] . 康香宁 ,包魁 ,陈志忠 . 半导体学报：英文版 . 2007,第z1期
2. GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析 [J] . 符民 ,文尚胜 ,夏云云 . 物理学报 . 2017,第004期
3. 基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能 [J] . 蔡镇准 ,胡晓龙 ,刘丽 . 发光学报 . 2015,第006期
4. GaN基垂直结构LED的n型电极结构设计及芯片制备 [J] . 刘丽 ,胡晓龙 ,王洪 . 发光学报 . 2016,第003期
5. 优化GaN基发光二极管的电极 [J] . 毛明华 ,尹以安 ,刘宝林 . 半导体技术 . 2007,第10期
6. 用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强 [C] . 包魁 ,章蓓 ,代涛 . 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2006
7. GaN基发光二极管器件研制及其性能的研究 [A] . 林巧明 . 2007

垂直电极结构GaN基发光二极管的研制

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅