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中频磁控溅射法制备BCN薄膜

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采用中频磁控溅射技术,使用N2和Ar混合气体作为反应气体,分别溅射硼靶和石墨靶,在单晶硅衬底上制备了BCN薄膜.利用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构和化学组成进行了分析,结果表明,N元素在薄膜中主要是以B-N和C=N键合形式存在;另外,分析表明薄膜中还存在B-C键,这说明制备的BCN薄膜并非是石墨和h-BN简单的物理混合,而是B、C、N三种元素形成的具有一定原子比的化合物。

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来源
《第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛》|2006年|365-368|共4页
会议地点兰州
作者
陈友明; 中国科学院研究生院; 张广安; 王鹏; 中国科学院研究生院; 杨生荣; 张俊彦;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类真空镀与气相镀法;
关键词
中频磁控溅射; BCN薄膜; 红外光谱; X射线光电子能谱; 薄膜微观结构; 单晶硅衬底;

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