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叶面喷施纳米硅制剂抑制水稻吸收镉

摘要

采用无机纳米材料技术制备特殊活性的纳米硅制剂,采用土培和水培实验相结合,试验了三种处理:喷去离子水、喷Na2SiO3和喷纳米硅对水稻Cd毒害的缓解作用,以及对水稻吸收和积累Cd的影响。结果表明,重金属元素Cd在水稻植株体内的分布规律是根系>茎>籽粒;且随着重金属镉浓度的增加,Cd在水稻植株体内的累积增加;施用硅制剂可以促进水稻生长、且可以减少水稻吸收Cd,且纳米硅制剂效果优于普通硅制剂。喷施硅制剂加深了水稻叶片绿色,叶片挺拔且机械力增强;不施加外源硅物质,随Cd浓度升高,水稻生物量有所下降,Cd在水稻中的积累依土壤浓度而增加,Cd浓度为0.5、1.0、2.0 mg kg-1,根中Cd含量分别为13.1、15.9、29.6 mg kg-1,籽粒中也有相同的趋势递增。在同一Cd处理浓度下,叶面喷施硅物质,对水稻生物量影响不大,水稻根、茎叶、籽粒各部位中Cd含量均显著下降,下降幅度顺序依次为Ce-Si制剂>SiO2溶胶>Ti-Si制剂>Na2SiO3。0.5、1.0、2.0 mg kg-1 Cd处理下,施加Ce-Si制剂使籽粒中Cd含量分别下降到对照的24.33%,20.34%和16.20%。2.0 mg kg-1Cd处理下,施加Ce-Si制剂使稻米中Cd含量从对照的0.827下降到0.134 mg/kg。国家食品卫生标准中,大米镉含量要求低于0.2 mg kg-1,通过外源施加硅制剂,有效降低稻米中镉含量,可望在低浓度重金属污染稻田土壤。

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