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集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法初探

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本文提出了含有抗ESD二极管的集成SOILIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,给出了结构实现的工艺控制要求.

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来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|503-507|共5页
会议地点北京
作者
汪沁; 张海鹏; 孙玲玲; 高明煜; 李文钧; 吕幼华; 刘国华; 汪杰;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;制造工艺;
关键词
集成电路; 静电保护; 器件结构; 工艺设计;

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