首页> 中文会议>第九届全国表面(MTPT)探伤技术年会 >表面开口缺陷深度及其所生漏磁场的关系--磁粉探伤原理之二十九

表面开口缺陷深度及其所生漏磁场的关系--磁粉探伤原理之二十九

摘要

由磁偶极子理论证明:表面开口缺陷引起的漏磁场H正比于(d/2-kδ),其中d是缺陷深度,而δ为一较小长度,它取决于工件和缺陷横截面的形状与尺寸,k是一个系数,它取决于缺陷侧壁上的磁荷分水岭,从而可以得出结论:当d很小时,H与d间近似为线性关系;而d增大时,它们之间则呈非线性关系.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号