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氮分压对反应磁控溅射法制备TiN薄膜结构和形貌的影响

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本文采用反应磁控溅射的方法,以Si(111)为基底,在不同的氩氮流量比(即不同氮分压)的条件下,制备了一系列的TiN薄膜.用XRD和SEM表征了薄膜的结构和形貌.研究了不同氮分压对薄膜结构和形貌的影响.结果表明:高氮分压条件下制备的TiN薄膜具有{100}择优取向;较低氮分压条件下制备的TiN薄膜呈{111}择优取向;在更低或中间数值的氮分压条件下,TiN薄膜表现出任意取向;薄膜的沉积速率随着氮分压的增大而减小。

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来源
《2005年全国材料科学与工程学术会议》|2005年|165-169|共5页
会议地点辽宁锦州
作者
杨凯; 张旭海; 于金; 蒋建清;
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作者单位

中国金属学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;金属复层保护;
关键词
反应磁控溅射; TiN薄膜; 氮分压; 择优取向; 薄膜结构; 薄膜形貌;

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