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离子束外延技术与新材料研究

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介绍了离子束外延(Ion-BeamEpitaxy,IBE)技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况.重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化物薄膜、难熔金属及其硅化物和氮化物薄膜、磁性金属多层膜、超硬薄膜及纳米结构材料薄膜等.展望了IBE新材料应用研究在中国的发展前景及应该采取的对策.

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来源
《2005年中国固体科学与新材料学术研讨会》|2005年|148-154|共7页
会议地点广西北海
作者
杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国;
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作者单位

中国稀土学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;薄膜的生长、结构和外延;
关键词
离子束外延; 功能材料; 薄膜材料;

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